Trimethylgallium

Strukturformel

Allgemeines

Name

Trimethylgallium

Andere Namen

TMG
TMGa

C₃H₉Ga

1445-79-0

Kurzbeschreibung

klare, farblose Flüssigkeit^[1]

Eigenschaften

Molare Masse

114,827 g·mol⁻¹

Aggregatzustand

flüssig

Dichte

1,132 g·cm⁻³ (25 °C)^[2]

−15,8 °C^[2]

92,5 °C^[2]

193 hPa (20 °C)^[2]

Reagiert heftig mit Wasser^[1]

Sicherheitshinweise

GHS-Gefahrstoffkennzeichnung ^[2]

Gefahr

H- und P-Sätze

H: 225-250-261-314

P: 210-222-231+232-280-305+351+338-422 ^[2]

EU-Gefahrstoffkennzeichnung ^[3]^[2]


Ätzend	Leicht- entzündlich
(C)	(F)

R- und S-Sätze

R: 14/15-17-34

S: 6-8-26-36/37/39-43-45

Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet. Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen.

Trimethylgallium, auch als TMG oder als TMGa bezeichnet, ist eine metallorganische Verbindung des Galliums. Es ist bei Raumtemperatur eine klare, farblose Flüssigkeit, welche an Luft selbstentzündlich ist und mit Wasser heftig reagiert.^[1]^[4] Trimethylgallium muss unter trockener Schutzgasatmosphäre bei Temperaturen unter 25 °C gelagert und gehandhabt werden.

Darstellung

Trimethylgallium kann durch die Umsetzung von Galliumtrichlorid mit Dimethylzink bei 120 °C gewonnen werden.^[4]

\mathrm {2\ GaCl_{3}\ +\ 3\ (CH_{3})_{2}Zn\ \rightarrow \ 2\ Ga(CH_{3})_{3}\ +\ 3\ ZnCl_{2}}

Eine Reaktion von Methylmagnesiumchlorid mit Galliumtrichlorid in Diethylether führt zu Trimethylgallium monodiethyletherat, dem Diethyletheradukt des Trimethylgallium.^[4]

Verwendung

Trimethylgallium dient im Rahmen der metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOVPE) als Galliumquelle zur Herstellung von Verbindungshalbleitern wie Galliumphosphid (GaP), Galliumarsenid (GaAs), Galliumantimonid (GaSb), Galliumnitrid (GaN) und Indiumgalliumnitrid (In_xGa_1−xN), welche unter anderem im Bereich der Optoelektronik als Werkstoffe für die Herstellung von Leuchtdioden dient.

Einzelnachweise

↑ ^1,0 ^1,1 ^1,2 D. Shenaikhatkhate, R. Goyette, R. Dicarlojr, G. Dripps: Environment, health and safety issues for sources used in MOVPE growth of compound semiconductors. In: Journal of Crystal Growth. 272, 2004, S. 816–821, doi:10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007.
↑ ^2,0 ^2,1 ^2,2 ^2,3 ^2,4 ^2,5 ^2,6 Datenblatt Trimethylgallium bei Sigma-Aldrich, abgerufen am 22. November 2011.
↑ Seit 1. Dezember 2012 ist für Stoffe ausschließlich die GHS-Gefahrstoffkennzeichnung zulässig. Bis zum 1. Juni 2015 dürfen noch die R-Sätze dieses Stoffes für die Einstufung von Zubereitungen herangezogen werden, anschließend ist die EU-Gefahrstoffkennzeichnung von rein historischem Interesse.
↑ ^4,0 ^4,1 ^4,2 C. A. Kraus; F. E. Toonder: Trimethyl gallium, Trimethyl gallium etherate and Trimethyl gallium ammine. In: PNAS. 19, Nr. 3, 1933, S. 292–298. doi:10.1073/pnas.19.3.292. PMID 16577510. Volltext bei PMC: 1085965.

[Shen1-1] 1,0 ^1,1 ^1,2 D. Shenaikhatkhate, R. Goyette, R. Dicarlojr, G. Dripps: Environment, health and safety issues for sources used in MOVPE growth of compound semiconductors. In: Journal of Crystal Growth. 272, 2004, S. 816–821, doi:10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007.

[Aldrich-2] 2,0 ^2,1 ^2,2 ^2,3 ^2,4 ^2,5 ^2,6 Datenblatt Trimethylgallium bei Sigma-Aldrich, abgerufen am 22. November 2011.

[3] Seit 1. Dezember 2012 ist für Stoffe ausschließlich die GHS-Gefahrstoffkennzeichnung zulässig. Bis zum 1. Juni 2015 dürfen noch die R-Sätze dieses Stoffes für die Einstufung von Zubereitungen herangezogen werden, anschließend ist die EU-Gefahrstoffkennzeichnung von rein historischem Interesse.

[Kraus1-4] 4,0 ^4,1 ^4,2 C. A. Kraus; F. E. Toonder: Trimethyl gallium, Trimethyl gallium etherate and Trimethyl gallium ammine. In: PNAS. 19, Nr. 3, 1933, S. 292–298. doi:10.1073/pnas.19.3.292. PMID 16577510. Volltext bei PMC: 1085965.

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[2]

[3]

[4]