Bortribromid

Strukturformel
Allgemeines
Name	Bortribromid
Andere Namen	Tribromboran
Summenformel	BBr3
CAS-Nummer	10294-33-4
Kurzbeschreibung	farblose Flüssigkeit mit stechendem Geruch[1]
Eigenschaften
Molare Masse	250,54 g·mol−1
Aggregatzustand	flüssig
Dichte	2,64 g·cm−3[1]
Schmelzpunkt	−46 °C[1]
Siedepunkt	91 °C[1]
Dampfdruck	72 hPa (20 °C)[1]
Löslichkeit	heftige Zersetzung in Wasser[1]
Sicherheitshinweise
GHS-Gefahrstoffkennzeichnung aus EU-Verordnung (EG) 1272/2008 (CLP) [2] Gefahr H- und P-Sätze H: 330-300-314 EUH: 014 P: 260-​264-​280-​284-​305+351+338 [3] EU-Gefahrstoffkennzeichnung [4] aus EU-Verordnung (EG) 1272/2008 (CLP) [2] Sehr giftig Ätzend (T+) (C) R- und S-Sätze R: 14-26/28-35 S: (1/2)-9-26-28-36/37/39-45
Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet. Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen.

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Bortribromid ist eine chemische Verbindung bestehend aus den Elementen Bor und Brom mit der Summenformel BBr₃.

Darstellung

Bortribromid lässt sich darstellen:
1. durch Umsetzung von Bortrifluorid mit Aluminiumbromid

${\mathrm{BF}}_3+{\mathrm{AlBr}}_3\rightleftharpoons {\mathrm{BBr}}_3+{\mathrm{AlF}}_3$

2. durch Umsetzung von Borcarbid mit elementarem Brom im Quarzrohr bei erhöhter Temperatur

${\mathrm{B}}_4\mathrm{C}+6{\mathrm{Br}}_2\to 4{\mathrm{BBr}}_3+\mathrm{C}$

Eigenschaften

Bortribromid ist eine sehr giftige, an feuchter Luft rauchende Verbindung, die bei Raumtemperatur als Flüssigkeit vorliegt. Sie ist kommerziell verfügbar und eine starke Lewis-Säure.

Durch Hydrolyse erfolgt eine Zersetzung zu Borsäure und Bromwasserstoffsäure:

${\mathrm{BBr}}_3+3{\mathrm{H}}_2\mathrm{O}\rightleftharpoons \mathrm{B}(\mathrm{OH}{)}_3+3\mathrm{HBr}$

Verwendung

Bortribromid kann zur Spaltung von Ethern unter milden Bedingungen, insbesondere zur schonenden Spaltung von Alkylarylethern benutzt werden. Zusätzlich wird es auch bei der Olefin-Polymerisation und bei Friedel-Crafts-Reaktionen eingesetzt. In der Elektronikindustrie dient es als Borlieferant bei der Dotierung von Halbleitern.

Einzelnachweise