Minoritätsladungsträger
Minoritätsladungsträger ist die Bezeichnung der Ladungsträgerart eines dotierten Halbleiters, welche seltener vorkommt als die Majoritätsladungsträger. Bei p-Dotierung sind die Minoritätsladungsträger die Elektronen, bei n-Dotierung sind es die Defektelektronen (Löcher).
Berechnung der Ladungsträgerdichte
Aus den Gleichungen für die Majoritätsladungsträger-Konzentration
- p-Gebiet
- p = pp ≈ NA- ≈ NA = konstant ; bei Raumtemperatur
- n-Gebiet
- n = nn ≈ ND+ ;≈ ND = konstant ; bei Raumtemperatur
ergibt sich im thermodynamischen Gleichgewicht wegen
- n ⋅ p = ni²
- $ =4\cdot \left({\frac {2\cdot \pi \cdot k\cdot T}{h^{2}}}\right)^{3}\cdot (m_{n}\cdot m_{p})^{3/2}\cdot e^{-{\frac {W_{G}}{k\cdot T}}} $
die Minoritätsladungsträgerkonzentration für
- p-Gebiet
- np ≈ ni²/NA = konstant ≪ pp
- n-Gebiet
- pn ≈ ni²/ND = konstant ≪ nn
Formelzeichen
- NA – Akzeptorenkonzentration (Dotierung)
- ND – Donatorenkonzentration (Dotierung)
- ni – Intrinsische Ladungsträgerdichte
- nn – Majoritätsladungsträger (bei n-Dotierung)
- pn – Minoritätsladungsträger (bei n-Dotierung)
- pp – Majoritätsladungsträger (bei p-Dotierung)
- np – Minoritätsladungsträger (bei p-Dotierung)
- n – Dichte der freien Ladungsträger (Elektronen)
- p – Dichte der freien Ladungsträger (Löcher)
- mn – Effektive Masse der Elektronen
- mp – Effektive Masse der Löcher
- WG – Energie der Bandlücke in eV
- k – Boltzmann-Konstante in eV / K
- T – absolute Temperatur
- h – Plancksches Wirkungsquantum