Neutron Transmutation Doping

Neutron Transmutation Doping (NTD, ins deutsche übersetzt etwa: Neutroneninduzierte Umwandlungsdotierung) ist ein Verfahren, um in Silizium höchst homogene Phosphordotierungen zu erreichen. Dazu wird das Silizium mit thermischen Neutronen beschossen. Es ergibt sich folgende Kernreaktion:

${}^{30}\mathrm{Si}+\mathrm{n}\to {}^{31}\mathrm{Si}\stackrel{{\beta }^{-}-\mathrm{Zerfall}}{\to }{}^{31}\mathrm{P}+{\beta }^{-}+\overline{\nu }$

Das stabile Isotop ${}^{30}\mathrm{Si}$ tritt in der Natur mit einem Anteil von 3,1 % auf. Daher kann mit der NTD-Methode eine hohe Phosphordotierung von bis zu ${10}^{20}{\mathrm{cm}}^{-3}$ erreicht werden.

Literatur

• Rolf Sauer: Halbleiterphysik: Lehrbuch für Physiker und Ingenieure. Oldenbourg, 2009, ISBN 348658863X.